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一、基本信息?

姓??? 名：馬英杰?????????????????? ?

性??? 別：男????????????????????????? ?

籍??? 貫：安徽??????????????? ?

出生年月：1988年8月???????????????????? ?

畢業(yè)院校：復(fù)旦大學(xué)??????????????????????????????????????????????????? ?

學(xué)歷學(xué)位：研究生/博士??????????????????? ?

技術(shù)職務(wù)：副研究員??????????????? ?

導(dǎo)師類別：博導(dǎo)????????????????? ?

工作部門：中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 組件室?

聯(lián)系電話：021-25051448???????????????? ?

電子郵箱：mayingjie@mail.sitp.ac.cn??????????????????? ?　　??

二、工作簡歷?

2018.09至今，中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所。?

2014.07～2018.08,中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所。?

（其中：2016.07～2018.03,美國加州大學(xué)洛杉磯分校訪問學(xué)者）?　

三、學(xué)術(shù)兼職?

現(xiàn)任IEEE電氣電子工程師學(xué)會高級會員（IEEE?Senior?Member）

《Electronics》《Micromachines》期刊客座主編

IPS、IEDS和OSA會員

《Opt. Express》《Appl. Opt.》等期刊審稿人

曾任ICMBE2018、IEEE ECIS2025等國際會議組委會委員

四、科研工作簡介?

????主要研究方向為短波紅外探測器材料與器件物理、新原理光電器件、單光子雪崩探測器、焦平面探測器組件研究等。主持國家自然科學(xué)基金面上、國家部委重大基礎(chǔ)研究、基礎(chǔ)加強、中科院重點部署等項目或課題。參與承擔(dān)國家重點研發(fā)計劃、上海市重大基礎(chǔ)研究、民口973等項目。在Advanced Optical Materials、IEEE Journal of Selected Topics on Quantum Electronics、IEEE Journal of Lightwave Technology等期刊上發(fā)表第一或通訊作者論文31篇，合作發(fā)表論文90余篇，它引超650次，H因子14。申請發(fā)明專利28件，已授權(quán)12件，4項已實現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化。出版《半導(dǎo)體光譜測試方法與技術(shù)》和《硅鍺低維材料可控生長》專著2部。

????獲上海市青年科技啟明星（2021），IEEE國際電氣與電子工程師協(xié)會高級會員（2021），所啟明星研究員（2023）。

五、主要獲獎成果?

?2-3 微米波段InP 基無銻量子阱激光器材料、器件及應(yīng)用, 三等獎, 省級, 2015

六、代表性論文專利?

論文：

（1）256 × 2 InGaAsP/InP Geiger-Mode Avalanche Photodiode Arrays With a Triple-Stage Timing to Digital Converter, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2025, 第1作者

（2）Planar InGaAs Avalanche Photodiode With Multi-Stage InAlAs/InAlGaAs Multiplication

Structure，IEEE Journal of Quantum Electronics, 2025, 通訊作者 （入選期刊封面文章）

（3）Enhanced performance of extended wavelength InxGa1-xAs focal plane arrays via compositional overshooting of InxAl1-xAs buffer layer，IEEE Journal of Quantum Electronics, 2025, 通訊作者

（4）InGaAsP/InP Geiger-Mode Avalanche Photodiode Towards Sub-kHz Dark Count Rate at 20% Photon Detection Efficiency, IEEE Journal of Lightwave Technology, 2022, 第1作者

（5）Dislocation Evolvement in Metamorphic In0.83Ga0.17As/InP Photodetectors Through Ex-Situ Rapid Thermal Annealing, IEEE Journal of Quantum Electronics, 2022, 通訊作者

（6）Noise behaviors of SWIR InxGa1-xAs/InP focal plane arrays as a function of lattice-mismatch degree, Infrared Physics & Technology, 2022, 通訊作者

（7）High Temperature Behaviors of 1–2.5 μm Extended Wavelength In0.83Ga0.17As Photodetectors on InP Substrate, IEEE Journal of Quantum Electronics, 2021, 通訊作者

（8） 320×256 Extended Wavelength InxGa1-xAs/InP Focal Plane Arrays: Dislocation Defect, Dark Signal and Noise, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2021, 第 1 作者

（9）Surface Leakage Behaviors of 2.6 μm In0.83Ga0.17As Photodetectors as a Function of Mesa Etching Depth, IEEE Journal of Quantum Electronics, 2020, 通訊作者

（10）Towards Surface Leakage Free High Fill-Factor Extended Wavelength InGaAs Focal-Plane Arrays, IEEE Journal of Quantum Electronics, 2019, 第 1 作者

（11）Electron-initiated low noise 1064 nm InGaAsP/InAlAs avalanche photodetectors, Optics Express, 2018, 第 1 作者

（12）Enhanced Carrier Multiplication in InAs Quantum Dots for Bulk Avalanche Photodetector Applications, Advanced Optical Materials, 2017, 第 1 作者

授權(quán)發(fā)明專利：

（ 1 ） 一種小中心距焦平面探測器的銦球陣列制造方法, 發(fā)明, 2020, 第 1 作者, 專利號: ：ZL20201 0623570.1

（ 2 ） 一種寬譜銦鎵砷焦平面的結(jié)構(gòu)及其制備方法, 發(fā)明, 2022, 第 3 作者, 專利號: ：ZL202210123379.X

（ 3 ）帶有應(yīng)力平衡層的大規(guī)模銦鎵砷焦平面探測器及制備方法，發(fā)明, 2019, 第 7 作者, 專利號: ：ZL201910618698.6

（ 4 ） 一種啁啾數(shù)字遞變結(jié)構(gòu)的低缺陷異變緩沖層生長方法, 發(fā)明, 2018, 第 1 作者, 專利號: 201611153882.0

（ 5 ） 一種用于實現(xiàn)InGaAs光吸收波長擴展的材料結(jié)構(gòu), 發(fā)明, 2017, 第 1 作者, 專利號: ZL201510947270.8

（ 6 ） 一種采用低維量子點倍增層的半導(dǎo)體雪崩光電探測器, 發(fā)明, 2017, 第 1 作者, 專利號: ZL201610847176.X

（ 7 ） 一種波長擴展型InGaAs雪崩光電二極管的外延結(jié)構(gòu), 發(fā)明, 2017, 第 1 作者, 專利號: ZL201410729324.9

（ 8 ） 一種組分遞變過渡層的氣態(tài)源分子束外延材料生長方法, 發(fā)明, 2017, 第 4 作者, 專利號: ZL201510952593.6

發(fā)表著作：

（1）硅鍺低維材料可控生長，科學(xué)出版社（北京），2021-03，第1署名作者

（2）半導(dǎo)體光譜測試方法與技術(shù), 科學(xué)出版社（北京）, 2016-01, 第 3 署名作者

七、培養(yǎng)學(xué)生情況?

截止今年7月，在讀博士生1人，在讀碩士生4人。

已畢業(yè)博士生1人，已畢業(yè)碩士生3人。就業(yè)率：100%。

主要就業(yè)去向：華為、上海微電子裝備集團等大型企業(yè)。